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在英伟达公司主持的年度时期大会上，三星电子公司发布了其第七代高带宽内存（HBM），即HBM4E。英伟达在会上强调了其与这家韩国芯片制造商在内存芯片除外束缚扩大的融合酌量。
在周一（好意思国时候）于加州开幕的英伟达GTC 2026 大会上，三星电子展示了其HBM4E居品的最新推崇，并展示了其行动英伟达Vera Rubin AI平台合座内存管制有规画提供商的智商。
这是三星电子初次公开展示实体HBM4E芯片，瞻望其单引脚传输速率可达16Gbps，带宽为4.0TB/x。
这一性能较HBM4有所晋升，后者单引脚传输速率为13Gbps，带宽为3.3TB/s。
在主题演讲中，英伟达CEO黄仁勋对三星电子分娩Groq 3话语处理单位（LPU）暗示感谢，该单位将用于英伟达的AI平台，1元免费配资以晋升其性能。
“我要感谢三星，他们为咱们分娩 Groq 3 LPU 芯片，他们正在负重致远。我果真很感谢你们，”黄仁勋说说念，并证明该芯片是由三星电子的代工部门分娩的。
黄仁勋的这番话标明，三星电子和英伟达已将东说念主工智能边界的融合拓展至芯片代工业务。
上个月，三星电子驱动批量出货第六代HBM芯片，即HBM4，该芯片专为英伟达的Vera Rubin平台想象，三星称其可为东说念主工智能狡计提供“极致性能”。
富灯网配资三星电子还推出了搀和铜键合（HCB）时期，该时期约略堆叠逾越16层铜箔，同期与热压键合（TCB）比拟，热阻裁减20%，突显了其不才一代HBM封装方面的实力。
这家韩国科技巨头暗示：“为了鞭策东说念主工智能行业的立异，重大的AI系统，举例Vera Rubin平台，至关挫折。”
三星电子补充说念：“公司狡计链接为 Vera Rubin 平台提供撑捏的高性能内存管制有规画。”
三星还暗示，两家公司但愿借助这种融合酌量，引颈大师东说念主工智能基础要领范式的转型。
在此次行径时期，三星电子建筑了一个展位，展位分为三个区域——东说念主工智能工场、腹地东说念主工智能和物理东说念主工智能——展示了该公司知足东说念主工智能行业需求的下一代芯片。
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